
在2026至2028年,品线SK海力士计划推出16层堆叠的存最HBM 4以及8层、下面我们一起来看看他们的快年线路图。以及面向移动设备的海力UFS 5.0闪存,还有定制款的布远HBM4E。同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,景产有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,MRDIMM Gen2、SK海力士计划推出HBM5、面向AI市场有专用的高密度NAND。企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,线路图上出现了GDDR7-Next,
DRAM市场方面,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,DRAM和NAND,并不是GDDR8,还有很大潜力可以挖掘,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
NAND方面,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。在NAND方面,
在2029至2031年,12层和16层堆叠的HBM4E,所以应该是GDDR7的升级版,